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办公室只剩罗离一人。

他眉头紧锁,目光凝重的盯着显示屏,不断有业内最新科技资讯从其上划过。

罗离找遍了所有关于芯片的科学期刊,也没有发现任何机会。

首先,国内其实并不缺制造通用芯片的能力,

缺的只是制造高精度、低制程的尖端芯片的工艺和设备!

在芯片设计和制造中,纳米表示的是芯片中晶体管与晶体管之间的距离,在体积大小相同的情况下,7nm工艺的芯片,容纳的晶体管数量几乎是14nm的2倍多!

晶体管的数量直接决定了处理器性能的强弱,晶体管越多,处理器解析的能力也就越强。

国内目前完全自主研造的芯片,最多也只能达到90nm级别,单位容纳晶体管数量为2亿多,远远低于平均水平。

核桃mini采用的是高通660芯片,在制程上为14nm,单位晶体管数量便已经达到37亿多!

华火前一代性能旗舰——青龙970采用的是10nm工艺,单位晶体管数量为55亿……而青龙980更是采用7nm工艺,晶体管数更是达到了恐怖的70亿!

在运算能力上,青龙970只支持29.9GB传速,青龙980最高可以支持到34.1GB,这还只是细枝末节,相比之下,两者在综合性能跑分上的差距还要更加显著。

精度越高的芯片,体积就会更小,相应的功耗和发热也会更小。

低精度的芯片可以满足重工业生产需要,但绝对无法满足手机工艺!

手机不同于汽车,内部的空间就那么点,散热首当其冲就是第一大难题,制程越小,所占空间也就越小,散热就会更加优秀。

高精度芯片相比于低精度芯片,性能上的优势不仅来自于工艺制程,还来源于很多方面,比如芯片架构、芯片缓存、芯片带宽、GPU性能和基带等等。

其真实差距,堪称云泥之别。

如果钉子科技找不到解决的方法,将被迫只能采用国产90nm级芯片,这对钉子来说绝对是一个巨大的打击。

要知道高通835和青龙980一样都是10nm芯片,在在晶体管数量上是国产90nm芯片的三十倍!性能更是差距百倍千倍!

最重要的是,黑科技手机系统对处理器芯片制程有严格的要求,一代系统只能兼容14nm以下,二代系统只能兼容10nm以下。

换成90nm,就意味着瓜子手机将彻底舍弃黑科技手机系统,同时被舍弃的还有40%性能的提升、30%功耗的降低、云服务功能、语音助手、各种超级算法和超级优化……

这特么堪称灭顶之灾啊!

没有黑科技手机系统加持,瓜子手机连八十线厂商都不如。

尼玛,资本亡我之心不死!

“……有没有什么其他办法?”

问出这个问题,罗离也知道不会有答案。

根本不可能。

当资本企业联盟决定实行芯片垄断的那一刻起,就已经堵死了所有生路,除非你能自己搞出来。

罗离第一反应就是查阅系统。

打开兑换列表,在一长串密密麻麻的兑换商品种,罗离找到了芯片制造相关的科技。

排除“虚空系列”、“反物质”、“负相粒子光能”这种一听就买不起的东西,罗离直接将列表拉到最下来。

然后,他就看到了自己收藏夹中躺了两个多月的3nmEUV光刻机——

以及后面长达10厘米的“0”……

罗离:“……”

3nmEUV光刻机,太特么贵了!

贵到价格只能用“厘米”来形容。

就尼玛离谱!

罗离果断放弃了,这东西绝对不是现阶段可以买得起的!

然后他将目光锁定到5nm级别……这次是8厘米。

淦,放弃放弃!

然后是7nm……

14nm……

……

全部看完,罗离彻底无奈了。

以他目前的系统积分,居然只能买得起130nm级别的光刻机!还特么是DUV光源!!

DUV光刻机和EUV光刻机能比?

寒碜谁呢?

DUV光刻机大多采用的是波长为193nm级别的氟化氩准分子激光,或者波长为248nm的氟化氪准分子激光,单次曝光的极限制程在128nm到90nm之间,多次曝光虽然可以将精度提升至最高28nm,但却是以牺牲良品率为代价!

几乎每重复一次曝光,损坏的几率就增加一倍……靠DUV光刻机想要造出28nm制程芯片,至少需要曝光5次以上!

先不说你连续曝光五次最终能成功几个,就算成功了,28nm也远远解决不了钉子现在的危机。

更别提暴增的材料成本了。

光刻工艺的核心资源是一种叫做光刻胶的化学合成剂,这东西在国内也无法制造。

在层层垄断下,光刻胶的进口量就那么多,其他厂商会允许你这么浪费?

在目前,DUV光刻机受限于精度制程,已经无法满足后来14nm、7nm、5nm等更高制程的需求了,这时候就需要依靠EUV光刻机。

EUV光刻机采用的是一种13.5nm的极紫外光,可以在大约200平方毫米的面积下集成超过105亿颗晶体管。

用EUV光刻机制造7nm级芯片,只需要曝光一次。

在现阶段,

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